价格涨势不停,第三季 DRAM 总营收大幅季成长 15.8%-搜狐科技   【Technews科技新报】TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 表示,受惠于全球智能手机出货成长,及内存搭载量不断攀升,第二季开始 DRAM 原厂逐步降低标准型内存的产出,转为移动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下,第三季开始标准型内存价格呈上涨走势,同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球 DRAM 总体营收较上季大幅成长约 15.8%。   DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示,第三季适逢苹果 iPhone 7 与三星 Note 7 二大旗舰机备货潮,虽然 Note 7 后来于第四季停产,但第三季的备货仍有助内存消化量与价格的上扬,标准型内存也因出货比预期更佳,加上笔电搭载高容量 8GB 内存比重亦持续增加,更让第四季标准型内存合约价季涨幅逾 30%。   三大 DRAM 厂营收激增,美光转亏为盈   三星依然稳坐 DRAM 产业龙头,营收季成长约 22.4%,成长幅度远超过市占第二的 SK 海力士,两大韩厂的市占各为 50.2% 以及 24.8%,合计两家韩厂已囊括 DRAM 75% 的市占率。美光集团仍位居第三,营收季增 12.6%,市占 18.5%。   营业获利部分,三星仍是 DRAM 产业冠军,第三季营业获利率维持在 37%,SK 海力士由 18% 上升至 25%,而美光则是转亏为盈,从 -0.6% 转为 2.3%。吴雅婷表示,展望第四季,由于 DRAM 价格持续攀升,可以肯定各厂获利仍将进一步成长。   力晶科技季营收大幅衰退 31.1%   由技术面观察,三星已在 20 纳米制程上取得领先,成本为三大 DRAM 厂中最低,新厂 Line 17 的 18 纳米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出,由于三星目标以获利为重,对于 18 纳米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。   第三季 SK 海力士的 21 纳米制程产出不如预期,导致产业供给吃紧,目前 SK 海力士仍将着重于 21 纳米的良率提升,并规划 2017 下半年进入 18 纳米试产阶段,持续制程转进。   美光在华亚科于今年 9 月正式 100% 转进 20 纳米制程下,20 纳米制程也正式成为美光的主力制程技术,美光后续也计划明、后年陆续导入 18/16 纳米量产。   中国台湾厂商部分,南亚科受惠于第三季标准型内存价格持续上涨,加上客户陆续追加订单,第三季营收较第二季成长 16.7%,但随着新工厂 Fab 3A North 完工,明年上半年将导入 20 纳米制程,届时成本有望进一步降低。   力晶科技 DRAM 营收大幅下滑 31.1%,受到第二季价格不好影响,力晶减少第三季标准型内存的产出,导致营收大幅下滑,随着第四季 DRAM 价格大涨,力晶 DRAM 投片又开始恢复之前水准,可预期营收将回复成长。   华邦电子第三季营收小幅成长 7%,除 46 纳米比重持续提升外,38 纳米制程预估最快于第四季正式少量投片生产,此外,由于利基型内存第四季起涨价,亦将反映在第四季的营收表现上。      如需获取更多资讯,请关注微信公众账号:Technews科技新报   延伸阅读:   (首图来源:shutterstock)